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        Form: 芯扒客 2019/9/9 Browse:5539 Keywords: 漓江存储 64层3D NADA 越阶

        当天,漓江存储正式对外界宣布:商店已初步量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

         

        表现中华首款64层3D NAND闪存,该产品将亮相IC China 2019紫光集团展台。前途将生产集成64层3D NAND闪存的常态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和运动设备制造商的需要。

         

        漓江存储64层3D NAND闪存晶圆

         

        这意味着中国打破了多年由美企(英特尔等)、韩企(三星、SK海力士、美丽光等)基本的存储芯片市场。

         

        漓江存储的Xtacking架构还在2018年之时尚闪存峰会上拥有“Most Innovative Flash Memory Starup”奖,翻译成中文之意味就是: 最具创新闪存创始公司。

         

        更新在于Xtacking架构实现了比传统3D NADA更高的存储密度。 风的3D NADA架构中,外面电路约占芯片面积的20-30%,随着3D NADA艺术堆叠的越高,外面电路占芯片整体面积的百分比就越大,而Xtacking能够将外围电路置于存储单元以上,大幅提升产品的存储密度。

         

        顶两片晶圆各自完工后,更新之Xtacking®艺术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)名将两片晶圆键合。 带来了更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。 伊主导容量已经提升到256Gb,抵达世界主流水平,可轻松制造512GB到1TB存量的常态硬盘。
        Xtacking®艺术之研制成功和64层3D NAND闪存的批量生产也标志长江存储成功走出了一枝高端芯片设计制造的更新的路。
         
         
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        3年砸下780京铢,漓江存储为破局而生

         

        根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)考察,2019年第二季NAND Flash(闪存)市场,三星电子继续保持龙头地位,伊第二季营收达37.66京铢,市场占比34.9%; 迪斯尼存储、西方数据、美丽光、SK海力士、英特尔分别以18.1%、14%、13.5%、10.3%、8.7%的市场占比位排二至六位。 上述六师巨头垄断了世界的NAND FLASH市场供应,任何任何企业的市场份额仅占0.5%。
        希冀源:集邦咨询

         

        考察六大供应商发展状况,当下主流出货多在64/72层产品,并已量产92/96层的产品。 本年8月6日,三星电子宣布,已初步生产规范首批 100 层 V-NAND 闪存。

         

        希冀源:中华内存市场

         

        根据长江存储发展计划,在生产64层产品今后,外貌较于其他赞助商先发展9x层的步子,但长江存储的对象是直攻128层以调减与其他供应商的差别。

         

         

        副图中可看到长江存储就像一只刚猛的战马,势如破竹。 与其他供应商的艺术差距直接缩短2年控制。 漓江存储64层 3D NAND闪存量产,标志着中国制造的闪存芯片打破垄断,与六大供应商展开面对面的正当竞争。

         

        2014年11月,中华成立国家集成电路大资本,本条资本推动中国先进集成电路产业进步。

         

        2016年3月,在集成电路产业基金的支持从,石家庄新芯宣布斥资240京铢在济南打造一个世界级的半导体存储企业,集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM。

         

        品种分三个级次部署,重点师工厂专注NAND闪存生产,其次师工厂专注DRAM芯片生产,先后三个级次的装备将专为投资者服务。 请注意,重点师工厂是做NAND FLASH的,漓江存储优先量产的是NAND FLASH产品。

        漓江存储核心厂区近况

         

        2016年7月,紫光集团参与进来,各方在济南新芯公司的基础上成立了珠江存储公司并控股武汉新芯。 漓江存储由紫光集团子公司紫光国芯,集成电路基金、四川国芯产业投资基金合伙企业和区科投共同出资。 其中,紫光国芯出资197亿元人民币,占51.04%。

         

        2017年1月,紫光集团进一步揭示斥资300京铢,在云南南京投资建设半导体存储基地,一个投资100京铢,建成月产能10万片,首要是生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

         

        2018年6月,紫光集团宣布斥资240京铢,在西川成都建3D闪存工厂,2018年10月中旬动工,展望2020年12月主体完工,重点期建成后,名将月产10万片,三期都成功后将获得月产30万片的一个生产能力。

         

        2019年9月,漓江存储宣布量产的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存。

         

        石家庄工厂240京铢+太原工厂300京铢+乌鲁木齐工厂240京铢,漓江存储项目中国砸了780京铢,NAND Flash便是珠江存储最先发力的动向。

         

        漓江存储越阶挑战,前途将直面各大著名供应商。 但作者以为,总体应该求精,国产技术赶超是好事,如果在维护质量的大前提下价格贵点相信广大厂商都会接纳。但如果只是艺术发展,扔到市场上不把消费者接纳,名将是一番大题目。
         
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        闪存技术52年发展史
        起源于60年代末,80年代初提出的定义。
         
        1967年。 贝尔办公室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏院士(Simon Sze)共同发明了浮栅MOSFET,即一切闪存,EEPROM和EPROM的底子。

         

        1970年。 Dove Frohman表明了根本款成功之浮栅型器件——EPROM,穿越照射紫外线光擦除,在储存软件中广受欢迎,对英特尔成功推出微处理器非常重大。
         
        1979-81年。 Eli Harari,印度尼西亚闪存存储开发商SanDisk(闪迪)创始人,当年受聘于英特尔,表明了世道上首个电可编程和可擦除存储器——EEPROM,并展望了浮栅的前途愿景——代表磁盘,但提案被当场的英特尔CEO Andy grove否决。
         
        1984年。 闪存之父Fujio Masuoka大专在东芝时,付出了一份关于浮栅新用途的本行白皮书,漫天芯片的情节都得以在相机的闪光(flash)的刹那把擦除。 随后Masuoka大专在圣何塞召开的IEEE 1984综上所述电子设备大会上正式介绍了闪存(Flash Memory)。
         
        1986年,英特尔推出了闪存卡概念,并且成立了令人瞩目于SSD的机关。
         
        1987年,Masuoka大专又再接再厉发明了NAND闪存即2D NAND。
         
        1988年。 英特尔看到了闪存的光辉动力,生产了首款商用闪存芯片,成功取代了EPROM产品,首要用于存储计算机软件。 同年3月1日,Eli始建Sundisk(从此更名为SanDisk闪迪),入学让闪存更像一块磁盘用来存储数据。
         
        1989年。 SunDisk付出了系统闪存专利。 M-Systems树立,短短推出闪存磁盘概念,这是闪存SSD的先辈。 同年,英特尔发售了512K和1MB NOR Flash。 Psion生产了基于闪存的PC。 迪斯尼与英特尔合作推出了闪存文件系统。 西方数据则与SunDisk总体模拟传统的旋转ATA硬盘,生产了基于NOR Flash的SSD。 后来三星和东芝各自推出NAND闪存,擦写时间更快,强度更高,比NOR Flash本更低,并且拥有高于十倍的耐用性。 但他的I/O接口只同意顺序访问数据,租用于诸如PC卡和各族存储卡类的大用户量存储设备。
         
        90年代初,闪存行业以前所未有的进度迅猛扩大,1991年营收达到1.7京铢,1992年达到2.95京铢,1993年升至5.05京铢,1994年达到8.64京铢,1995年直接达到了18京铢。
         
        1991年。 SunDisk生产首款基于闪存的ATA SSD,存量为20MB。 当年10000台IBM ThinkPad掌上笔记本电脑提供SSD代表磁盘的劳务支持。 迪斯尼发布全球首个4 MB NAND闪存。 柯达以13000便士之价位出售了根本台专业数码相机DSC100。 Zenith Poqet和惠普在电脑展销会上展示了动用闪存卡的掌上笔记本电脑。
        1992年。 AMD和富士通推出了首款NOR产品。 英特尔推出包括第二世FFS 2,8MB闪存芯片,4MB-20MB线性闪存卡和用于BIOS采取的1MB Boot Block NOR Flash,初次用到内部写状态机管理闪存写算法。 SunDisk则推出了PCMCIA闪存卡。 自1992年开始,PC初步使用闪存进行BIOS存储。
         
        1993年。 英特尔推出了16MB和32MB NOR Flash。 英特尔和康纳联合开发了5MB/10MB ATA闪存盘。 苹果在她们的Newton PDA官方开始采取NOR Flash。
         
        1994年。 SunDisk针对SSD采取推出Compact Flash卡和18MB串行NOR Flash芯片。
         
        1995年。 SunDisk更名为SanDisk(闪迪)生产了34MB 串行NOR Flash,这是首款面向SSD采取的MLC闪存芯片。
        1996年。 迪斯尼推出了SmartMedia存储卡,也称为固态软盘卡。 三星开始出售NAND闪存。 SanDisk生产了动用MLC串行NOR艺术之重大张闪存卡。 1997年。 重点部手机开始配置闪存,消费级闪存市场就此打开。
         
        1999年。 NOR Flash营收超过40京铢。 迪斯尼和SanDisk合作创造了闪存制造合资企业。 美丽光宣布超过10京个闪存芯片已出售。
         
        2001年。 迪斯尼与SanDisk通告推出1GB MLC NAND。 SanDisk和谐生产了首款NAND系统闪存产品。 日立推出了AG-AND。 三星开始批量生产512MB闪存设备。

         

        2004年。 NAND的价位首次基于同等密度降至DRAM之下,本效应将闪存代入计算领域。
         
        2005年。 苹果公司生产两款基于闪存的iPod——iPod shuffle和iPod nano。 迪斯尼发布混合硬盘概念。 MMCA(多媒体卡协会)生产MMCmicro卡。 三星率先采用70nm制程量产NAND闪存。 美丽光也生产了NAND产品。 同年超过30京闪存芯片发售被发货。 NAND总发售容量超过DRAM。
         
        2006年。 闪存营收超过200京铢。 英特尔推出Robson Cache Memory,现行称为Turbo Memory(迅盘)。 迪斯尼推出ReadyBoost。 本年对SanDisk这样一来是根本的一年。 商店发表推出单元存储4比特的NAND艺术和microSDHC卡。 上半时,SanDisk还收购了Martix Semiconductor和M-Systems两师企业。 三星和希捷展示了首款混合硬盘。 美丽光和英特尔正式合作组建IMFT,用于制造NAND闪存。 Spansion生产ORNAND闪存,并颁发开始使用65nm制程工艺生产300mm晶圆。
         
        2007年。 闪存营收突破220京铢(NAND 营收145京铢)。 迪斯尼推出eMMC NAND以及首款基于MLC SATA的常态硬盘。 IMFT初步出售50nm NAND闪存。 Apple专业推出了初代部署4GB或8GB闪存的iPhone。 Fusion-io通告推出基于 MLC NAND的640 GB ioDrive。 BitMicro面向军事应用推出3.5英寸SSD,存量为1.6TB。 Spansion收购了Saifun。 戴尔对本身笔记本电脑配置加入了SSD分选,粮价低于200便士之上网本加入了闪存存储。 希捷推出了根本款混合硬盘——Momentus PSD。
         
        2008年。 SanDisk生产ABL以促成加速MLC,TLC和X4 NAND。 英特尔和美光宣布推出34nm MLC NAND。 迪斯尼首次推出了512GB的MLC SATA SSD。 IBM初次展示了“百万IOPS”的闪存阵列。 EMC通告将基于闪存的SSD用于企业SAN采取。 苹果推出了两世MacBook Air,暌违配备64GB和128GB SSD,没有硬盘选项。 美丽光,三星和Sun Microsystems通告推出高耐用性闪存。 Violin初次推出基于全闪存的存储设备。 三星宣布推出150GB 2.5英寸MLC SSD。 美丽光推出首款串行NAND闪存。 迪斯尼开发了3D NAND组织BICS。
         
        2009年。 英特尔和美光推出34nm TLC NAND。 三星推出首款配置64GB SSD的全高清摄录一体机。 希捷进入SSD市场。 SandForce生产了根本款基于数据压缩的SSD玉器。 Virident和Schooner针对数据中心推出了根本款基于闪存的采取设备。 Plaint生产了首款SAS SSD。 SanDisk发售每单元存储4比特的SDHC和Memory Stick Pro卡。 西方数据收购了SiliconSystems进去SSD市场。 SanDisk生产了号称数据可保存100年之闪存存储库。
         
        2010年。 迪斯尼推出基于16核堆栈的128GB SD卡。 英特尔和美光公司生产25nm TLC和MLC NAND。 同年,Numonyx把美光收购、SST把Microchip收购。 三星开始生产64 GB MLC NAND。 希捷宣布推出首款自管理混合硬盘——Momentus XT。
         
        2011年。 是一番收购年。 LSI收购SandForce; SanDisk收购IMFT,苹果收购Anobit,Fusion-io收购IO Turbine。 希捷推出了第二世Momentus XT混合硬盘,获得8GB NAND闪存和750GB HDD存储容量。
        2012年。 三星创造了3D NAND,生产第一世3D NAND闪存芯片,也是根本款32层 SLC V-NAND SSD——850 PRO。 SanDisk和东芝宣布推出支持128GB芯片的19nm闪存。 希捷推出了结合闪存和HDD的SSHD。 Elpida生产ReRAM。 美丽光和英特尔推出20nm的128Gb NAND芯片。 SK工商收购海力士半导体的转播权,SK海力士成立。 Spansion生产了8Gb NOR芯片。 SanDisk收购了FlashSoft。 OCZ收购了Sanrad。 三星收购了NVELO。 英特尔收购了Nevex并推出CacheWorks。 LSI生产了安排MegaRAID CacheCade缓存软件的Nytro闪存。 美丽光推出了2.5英寸企业级PCIe SSD。

         

        2013年。 三星宣布推出24层3D V-NAND,并在2013年俄闪存峰会(FMS)上展示了1TB SSD。 Diablo Technologies通告推出内存通道存储技术。 SMART Storage Systems名将Diablo的宏图纳入ULtraDIMM。 西方数据和SanDisk运用iSSSD+HDD生产了SSHD。 迪斯尼推出了一连串SSHD。 Everspin通告出售STT MRAM。 M.2 PCIe接口正式颁布NVMe专业,以加快与闪存存储的通信。 西方数据先后收购了sTec,Virident和Velobit。 SanDisk收购SMART Storage Systems。 美丽光收购了破产的哥斯达黎加芯片制造商尔必达。 英特尔推出了英特尔缓存加速软件。
         
        2014年。 三星,SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备。 SanDisk生产了4TB企业级SSD,还宣布了128GB microSD卡。 IBM通告其eXFlash DIMM运用了SanDisk ULLtraDIMM以及Diablo的内存通道存储技术。 三星还开始出售32层 MLC 3D V-NAND——850 EVO。
         
        2015年。 SanDisk生产InfinitiFlash存储系统。 赛普拉斯半导体收购Spansion。 迪斯尼和SanDisk通告推出48层3D NAND。 英特尔和美光宣布推出384GB 3D NAND。 三星推出首款NVMe m.2固态硬盘和48层 V-NAND。 SanDisk生产 200GB microSDXC UHS-I卡。 赛普拉斯推出4MB串行FRAM。 英特尔和美光宣布推出3D XPoint Memory。 英特尔还基于XPoint艺术生产了Optane DIMM和SSD。
         
        2016年。 迪斯尼发售了用于iPhone 7的48层TLC NAND。 同年,SK海力士基于36层堆叠技术发售了用于LG V20的UFS铺天盖地产品。 石家庄新芯集成电路制造有限公司(XMC)在中华开设第一师NAND闪存工厂。 美丽光展示了768GB 3D NAND。 西方数据以190京铢之价位收购SanDisk。 Everspin在年终前发表推出256MB MRAM芯片和1 GB芯片。 IBM通告TLC PCM存储芯片。 英特尔着手向企业级市场发售3D NAND产品,而美丽光则改道消费级市场发售SSD。
         
        2017年,SK海力士发售72层3D NAND。 迪斯尼。 英特尔发售Optane SSD。 HPE(新华三)收购Nimble和Simplivity。 三星与东芝/西方数据发售96层3D NAND。 美丽光发售字符串堆栈3D NAND。 Everspin通告1GB STT-MRAM芯片样品。 同年,2005年成立之闪存阵列老牌厂商Violin Memory破产后把世俗化,当下已重回存储舞台。
         
        2018年,贝恩本财团完成对东芝闪存业务的180京铢购回案。 英特尔发布Optane DC(数据中心)持久性内存。 三星发布告诉Z-SSD。 江山集成电路产业投资基金一期针对国内半导体行业投资1387亿元,共公开投资了23学者国内半导体企业。 紫光集团旗下长江存储研发32层3D NAND芯片并在年终量产,更计划在2020年跳过96层3D NAND,直接进入128层堆叠。 同年,混合闪存初创公司Tintri报名破产,伊资金被HPC存储供应商DDN以6000万铢购得。
         
        2019年。 英特尔与美丽光规范结束在NAND Flash艺术方面长达14年之搭档关系,有业内人士认为英特尔可能会考虑与NAND投资者合作开发芯片与/或SSD,SK海力士赫然在进。 同年,环球公有云巨头AWS通告收购基于NVMe over fabric(NVMe-oF)艺术做全闪存阵列的存储公司E8,不断变动与提高之闪存市场还在未来列中,不顾,对闪存未来,咱无比期待。

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